Устройство содержащее два р n перехода

p-n-ПЕРЕХО́Д

Рис. 1. Схема p–n-перехода: чёрные кружки – электроны; светлые кружки – дырки.

p — n -ПЕРЕХО́Д (элек­трон­но-ды­роч­ный пе­ре­ход), об­ласть по­лу­про­вод­ни­ка, в ко­то­рой име­ет ме­сто про­стран­ст­вен­ное из­ме­не­ние ти­па элек­трич. про­во­ди­мо­сти (от элек­трон­ной n к ды­роч­ной p ). По­сколь­ку в р -об­лас­ти p — n -П. кон­цен­тра­ция ды­рок го­раз­до вы­ше, чем в n -об­лас­ти, дыр­ки из р -об­лас­ти стре­мят­ся диф­фун­ди­ро­вать в n -об­ласть, а элек­тро­ны – в р -об­ласть. По­сле ухо­да ды­рок из р -об­лас­ти в ней ос­та­ют­ся от­ри­ца­тель­но за­ряжен­ные ак­цеп­тор­ные ато­мы, а по­сле ухо­да элек­тро­нов в n -об­лас­ти ос­та­ют­ся по­ло­жи­тель­но за­ря­жен­ные до­нор­ные ато­мы. Т. к. ак­цеп­тор­ные и до­нор­ные ато­мы не­под­виж­ны, то в об­лас­ти p — n -П. об­ра­зу­ет­ся двой­ной слой про­стран­ст­вен­но­го за­ря­да – от­ри­ца­тель­ные за­ря­ды в р -об­лас­ти и по­ло­жи­тель­ные за­ря­ды в n -об­лас­ти (рис. 1). Воз­ни­каю­щее при этом кон­такт­ное элек­трич. по­ле про­ти­во­дей­ст­ву­ет диф­фу­зии сво­бод­ных но­си­те­лей за­ря­да че­рез p — n -П. В ус­ло­ви­ях те­п­ло­во­го рав­но­ве­сия при от­сут­ст­вии внеш­не­го элек­трич. на­пря­же­ния пол­ный ток че­рез p — n -П. ра­вен ну­лю, т. к. в p — n -П. су­ще­ст­ву­ет ди­на­мич. рав­но­ве­сие, при ко­то­ром не­боль­шой ток, соз­да­вае­мый не­ос­нов­ны­ми но­си­те­ля­ми (элек­тро­на­ми в р -об­лас­ти и дыр­ка­ми в n -об­лас­ти), те­чёт к p–n -П. и про­хо­дит че­рез не­го под дей­ст­ви­ем кон­такт­но­го по­ля; рав­ный по ве­ли­чи­не ток, соз­да­вае­мый диф­фу­зи­ей осн. но­си­те­лей (элек­тро­нов в n -об­лас­ти и ды­рок в р -об­лас­ти), про­те­ка­ет че­рез p — n -П. в об­рат­ном на­прав­ле­нии. При этом осн. но­си­те­лям за­ря­да при­хо­дит­ся пре­одо­ле­вать кон­такт­ное по­ле (по­тен­ци­аль­ный барь­ер). Раз­ность по­тен­циа­лов, воз­ни­каю­щая ме­ж­ду p — и n -об­лас­тя­ми из-за на­ли­чия кон­такт­но­го по­ля ( кон­такт­ная раз­ность по­тен­циа­лов , или вы­со­та по­тен­ци­аль­но­го барь­е­ра), обыч­но со­став­ля­ет де­ся­тые до­ли воль­та.

P-N переход в полупроводниках

Существует три вида материалов, подразделяющихся на проводники, диэлектрики и полупроводники. Все эти вещества состоят из атомов. В свою очередь, атом состоит из положительно заряженного ядра и вращающихся вокруг него отрицательно заряженных электронов. Электроны вращаются вокруг ядра по орбитам и сгруппированы в слои. Каждому слою соответствует энергетический уровень.

Содержание скрыть

Модель идеального атома

Если представить изолированный атом, то каждый электрон занимает определенный энергетический уровень. Все атомы одного и того же элемента находятся на большом расстоянии друг от друга и имеют одинаково доступные энергетические уровни. Более подробно о структуре строения атома, образования P-N перехода и работе полупроводниковых приборов можно изучить на курсе электроники .

Модель идеального атома

Взаимодействие атомов в физическом теле

При соединении нескольких атомом вместе образуется твердое тело, и дальние электроны испытывают воздействие не только своего ядра, но и соседнего, а также всех остальных ядер, находящихся рядом. То есть их энергетические уровни смещаются, а чтобы быть одинаковыми, начинают превращаться в ряды близко расположенных, но отдельных энергетических уровней. Таким образом образуются энергетические уровни.

Взаимодействие атомов в твердом теле

Энергетические зоны

Самые отдаленные энергетические уровни от атомов – называются валентными, в них находятся свободные электроны. А уровень более близкий к атому – проводимости. В проводниках валентная зона заполнена частично. Поэтому при небольшом количестве тепловой энергии электроны могут переходить на свободные места.

А при наличии электрического поля переходить с одного энергетического уровня на другой и проводить ток через материал. У проводников валентная зона и зона проводимости перекрывают друг друга, и валентные электроны легко переходят на уровень проводимости.

В диэлектриках валентная зона полностью заполнена. Поэтому при приложении электрического поля электроны не могут перемещаться. Между валентной зоной и зоной проводимости возникает запрещенная зона за счет разницы между энергиями зон валентной и проводимости. У них ширина запрещенной зоны составляет более 6 эВ. Из-за наличия запрещенной зоны электроны не могут перейти на уровень проводимости.

В полупроводниках имеется запрещенная зона, но она сравнительно мала и составляет от 0,5 до 3,0 эВ. Поэтому при обычной температуре у электронов достаточно энергии чтобы перейти на уровень проводимости. Они могут занимать свободные места, которые могут перемещаться и проводить электрический ток.

Энергетические уровни

Структура кристаллической решетки

Чистые полупроводники не используются для создания электронных приборов за счет строения кристаллической решетки. Для достижения функциональности добавляют в их кристаллическую решетку атомы примеси, на котором в дальнейшем будет формироваться P-N переход.

Кристаллическая решетка кремния

Основным полупроводником в электронике является 4-х валентный кремний (Si), имеющий в своей структуре четыре валентных электрона. Кремний используется для создания P-N перехода в современных полупроводниковых приборах.

В кремний добавляют мышьяк (As) в небольшом количестве, имеющий похожую кристаллическую решетку. Такой процесс называется – легированием. Он легко вписывается в структуру кремния, при этом принося один дополнительный электрон на донорский уровень под зоной проводимости.

Структура кремния с донорной примесью

При небольшом количестве тепловой энергии он может переходить в зону проводимости и проводить электрический ток. Данный проводник называется N-типом и он нейтрален. Большинство носителей заряда здесь электроны.

Существует другой тип полупроводников, называемый P-типа. В нем носители заряда положительные “дырки”. Для получения данного типа проводимости в кремний добавляют небольшое количество атомов индия (In). Индий хорошо вписывается в решетку кремния, при этом имеет на один валентный электрон меньше. Поэтому создает пустой акцепторный уровень расположенный выше валентной зоны.

Структура кремния с акцепторной примесью

При небольшом количестве тепловой энергии электроны покидают валентную зону оставляя после себя дырки. Они отвечают за проведение тока в полупроводниках P-типа. Сам материал не имеет заряда.

P-N переход

Если соединить P и N проводники между собой возникает процесс диффузии (проникновение одного вещества в другое). На границе соединения – проводник P-типа становится частично отрицательно заряженным, а проводник N-типа частично положительно заряженным.

В результате чего внутри нейтрального материала возникает электрическое поле. Электроны продолжают диффундировать до тех пор, пока электрическое поле не станет настолько большим, что не позволит им пересекать его. В результате этого создается слой обеднения подвижными носителями заряда (нет электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне).

Дырки подошедшие к границе P-N перехода со стороны p-области отталкиваются назад положительным зарядом, а электроны из n-области отталкиваются отрицательным зарядом.

Таким образов образуется P-N переход, имеющий слой полупроводника с пониженным содержанием носителей и обедненный слой с высоким электрическим сопротивлением. P-N переход обладает барьерной и диффузионной емкостью.

P-N переход прямое и обратное включение

Если к структуре P-N перехода приложить внешнее напряжение к p-области плюс, а к n-области минус, то дырки отталкиваясь от положительного потенциала внешнего источника, приближаются к границе P-N перехода, сужая его ширину со стороны p-области. Аналогично происходит в n-области.

Потенциальный барьер сужается и через P-N переход начинает протекать электрический ток. С увеличением напряжения величина тока возрастает в P-N переходе, так как он создается основными носителями, а концентрация носителей пополняется внешним источником напряжения. В этом случае P-N переход открывается.

Прямое смещение P-N перехода

При приложении к структуре P-N перехода обратной полярности – к p-области минус, а к n-области плюс; под действием внешнего электрического поля, дырки p-области смещаются к отрицательному потенциалу, а электроны к положительному. Ширина P-N перехода увеличивается, а свободные носители заряда в ней отсутствуют. P-N переход закрывается.

Обратное смещение P-N перехода

Выводы

• P-N переход в полупроводниках образуется при помощи различных примесных веществ, донорного и акцепторного типа.
• Основное свойство P-N перехода заключается в прохождении тока в одном направлении.
• На основании свойств P-N перехода построено множество полупроводниковых приборов, таких как: диод, светодиод, транзистор, стабилитрон, варикап, тиристор, симистор, интегральные микросхемы
• Более подробно о принципе P-N перехода, необходимое напряжение открытия и других характеристиках, вы можете изучить на курсе электроники и схемотехники.

Устройство полупроводникового диода, p-n переход.

Возвращаемся к рубрике «Основы электроники» и в этой статье мы разберем очень важное, основополагающее понятие, а именно p-n переход. И, конечно, же разберем работу устройства, сердцем которого является уже упомянутый p-n переход, то есть полупроводникового диода. И первым делом мы подробно рассмотрим устройство p-n перехода и химические процессы, протекающие в нем, которые, собственно, и определяют то, как он работает. Основными понятиями, которыми мы будем сегодня оперировать являются «электроны» и «дырки». И если с электроном все понятно, то на физическом смысле дырок стоит остановиться поподробнее. Полупроводниковые материалы, которые являются основой p-n перехода, характеризуются тем, что они объединяют в себе как свойства проводников, так и свойства диэлектриков. В кристаллической структуре проводников есть много свободных носителей заряда, которые под воздействием электрического поля начинают перемещаться, что и обуславливает способность проводника проводить ток. В диэлектриках связь частиц с атомами очень сильная, поэтому свободные носители заряда отсутствуют (все частицы жестко закреплены на своем месте в кристаллической решетке). Поэтому диэлектрики не пропускают электрический ток. В полупроводниках же все не так однозначно. В целом, для того, чтобы электрон покинул свое место, то есть высвободился от атома ему необходим определенный уровень внутренней энергии. Эта энергия может появиться, например, в результате повышения температуры. И величина этой внутренней энергии для полупроводников намного меньше, чем для диэлектриков. В этом и состоит ключевой момент! При низкой температуре большинство электронов полупроводника «сидят» на своих местах, и поэтому проводимость тока очень низкая. А, соответственно, с ростом температуры способность полупроводника проводить ток улучшается. С этим процессом разобрались: итак, с ростом температуры в полупроводнике число свободных электронов увеличивается. Во время разрыва связи электрона с ядром атома в электронной оболочке атома появляется свободное место. Атом при этом получает положительный заряд, ведь изначально заряд был нейтральным, а электрон, имеющий отрицательный заряд, атом покинул. Но свободное место не долго остается пустым, так как на него переходит электрон из соседнего атома. И этот процесс повторяется снова и снова. Таким образом, происходит перемещение положительного заряда. И вот именно этот условный(!) положительный заряд и называют дыркой:

• донорные, то есть отдающие
• акцепторные, принимающие

Разберем классический пример — кремний и мышьяк. У кремния на внешней оболочке атома 4 электрона (валентные электроны). У мышьяка таких электронов 5. Атом мышьяка отдает 4 из своих электронов на образование связей с 4-мя электронами атома кремния. При этом один из 5-ти валентных электронов не участвует в образовании связей.

У мышьяка энергия отрыва этого 5-го электрона от атома достаточно невелика. Настолько, что уже при небольшой температуре атомы мышьяка теряют свои незанятые в связях с кремнием электроны. Но при этом, поскольку в соседних атомах нет свободных мест, то дырок не возникает, и «дырочная» проводимость практически отсутствует. Так мы получили полупроводник с электронной проводимостью, то есть полупроводник n-типа.

Если же мы возьмем в качестве примеси 3-х валентный элемент (3 электрона на внешней оболочке атома), то в случае с добавлением примеси к кремнию (4 электрона), одно место останется свободным. На это место «придет» электрон соседнего атома и так далее, то есть возникнет процесс перемещения дырки. Так мы получим полупроводник p-типа.

Вот мы разобрались и с этим, двигаемся непосредственно к рассмотрению p-n перехода.

Итак, p-n переход (электронно-дырочный переход) — это область, в которой соприкасаются два полупроводника, имеющие разный тип проводимости (p-тип и n-тип):

Причем обе области электрически нейтральны. Только одна из них содержит свободно перемещающиеся дырки, а вторая — электроны.

При соприкосновении полупроводников разного типа возникает диффузионный ток. Это связано с тем, что свободные носители (электроны и дырки) стремятся перейти из той области, где их много, в ту область, где их мало. При прохождении через переход частицы рекомбинируют друг с другом. В результате этого вблизи границы перехода образуются избыточные заряды:

На рисунке изображены только свободные носители заряда в каждой из областей.

Давайте чуть подробнее разберем этот процесс. Один из электронов переходит из области n-типа и «занимает» свободное место, то есть дырку в области p-типа. На первоначальном месте этого электрона в области n-типа появляется дырка (ведь электрона там больше нет). И в итоге получается, что в p-области вблизи перехода скапливаются электроны, а в n-области наоборот дырки. Не забываем, что дырка — это не реально существующая частица, а условный(!) положительный заряд.

Но этот процесс не продолжается бесконечно по одной простой причине. Из-за того, что на границе формируются два новых слоя, возникает дополнительное электрическое поле, которое они порождают. Под действием этого поля возникает так называемый дрейфовый ток, направленный противоположно диффузионному току. И при определенной концентрации частиц около границы перехода между этими токами возникает равновесие и процесс останавливается:

Строго говоря, p-n переход — это именно область, в которой практически отсутствуют свободные носители заряда (обедненная область). Для того, чтобы выйти из этого положения равновесия, мы можем приложить к переходу внешнее напряжения. Различают прямое и обратное смещение.

При прямом смещении положительный потенциал подается на область p-типа, а отрицательный, соответственно, на область n-типа:

В этом случае внешнее электрическое поле (от источника напряжения) направлено противоположно тому полю, которое существует внутри перехода. В результате диффузионный ток начинает преобладать над дрейфовым, поскольку такое внешнее поле приводит к движению дырок из p-области в n-область и электронов в обратном направлении.

Вот так и возникает прямой ток, направление которого противоположно движению электронов. Обратное же смещение выглядит так:

Такое подключение приводит лишь к увеличению областей, в которых отсутствуют свободные носители заряда. Действительно, под действием электрического поля при обратном смещении свободные электроны и дырки будут удаляться от границы слоев.

В результате диффузионный ток будет максимально уменьшен и преобладать будет ток дрейфовый. В таком случае протекающий ток называют обратным (его величина очень мала по сравнению с прямым током).

Полупроводниковое устройство, внутри которого сформирован один такой p-n переход, и называют диодом. А его выводы (электроды) получили названия анод и катод. На принципиальных электрических схемах полупроводниковый диод обозначается следующим образом:

Ключевой характеристикой диода является вольт-амперная характеристика (ВАХ). Она представляет из себя зависимость протекающего через диод тока от приложенного к нему напряжения:

Как видите, здесь все в точности соответствует тому, что мы обсудили при разборе p-n перехода. Правая ветвь графика относится к прямому смещению перехода. При увеличении напряжения увеличивается и протекающий прямой ток. Обратите внимание, что при прямом включении напряжение должно достигнуть определенного значения для того, чтобы диод стал хорошо пропускать ток. Если напряжение меньше этого значения (пусть и создает прямое смещение), то способность диода пропускать ток будет низкой.

При обратном смещении (левая ветвь характеристики) ток достигает некоторого значения и перестает увеличиваться. Это процесс протекания незначительного обратного тока. Если продолжать увеличивать напряжение, то произойдет пробой p-n перехода (про ситуацию пробоя мы еще обязательно поговорим в статье, посвященной стабилитронам).

Таким образом, можно сказать, что диод пропускает ток в одном направлении и препятствует протеканию тока в обратном направлении.

И на этом, пожалуй, закончим, сегодня мы по итогу рассмотрели все основные процессы, протекающие в p-n переходе и полупроводниковом диоде. Совсем скоро, буквально в одной из следующих статей, разберем основные примеры использования диодов. Будем рады видеть вас на нашем сайте снова!

Уроки электроники

Изучение электронной техники полупроводниковых приборов является важным и необходимым условием для успешного ремонта. Успешно освоив уроки электроники, вы научитесь понимать процессы происходящие в полупроводниках. На основании транзисторов построены подавляющее большинство электронных устройств

Содержание скрыть

Полупроводниковые приборы

Для построения электронных схем совместно с пассивными элементами используются полупроводниковые приборы, изготавливаемые из материалов занимающих промежуточные положения между металлами и диэлектриками. Металл проводит электрический ток, а диэлектрик не проводит. Это связано с их химическими свойствами – расположением валентной зоны и зоны проводимости.

Проводимостью элементов является способность вещества пропускать через себя электрический ток. Обозначается буквой G, измеряется в См (сименс), данная величина обратно пропорциональна величине электрического сопротивления.

Полупроводников в природе значительно больше, чем металлов и диэлектриков. К ним относятся Si (кремний), Ge (германий), GaS (арсенид галлия) и др. Полупроводники меняют свои свойства под действием внешних факторов – нагрев, охлаждение, введение различных примесей. Эти свойства используются для изготовления полупроводниковых приборов.

P-N переход

Наиболее распространенным элементом полупроводника является кремний. На уроках электроники изучим кристаллическое строение материалов, подробно разберем что такое P-N переход. Также он называется “электронно-дырочным” переходом. Для работы в полупроводник вводятся примеси.

Существует два вида P-N переходов:

Примесные атомы замещают основные атомы кристаллической решетки.

Граничный слой между двумя областями материалов с разными примесями образуют электрический переход, благодаря диффузии. Этот переход называется P-N переходом. Таким образом, P-N переход – это переход между двумя областями полупроводника, имеющих разный тип проводимости.

При приложении напряжения к P-N переходу “+” к P-области, а “-” к N-области электрический ток будет протекать. В обратном приложении напряжения ток протекать не будет. Это связано с технологией изготовления, а также свойствами полупроводника. На основании работы P-N перехода был изобретен полупроводниковый элемент – Диод. Для полного открытия диода кремниевой структуры необходимо приложить напряжение в прямом смещении 0,65 – 0,7 вольта.

Диод

Уроки электроники направлены на изучение полупроводникового прибора с одним P-N переходом и двумя выводами, который называется диодом. Описанные выше свойства P-N перехода относятся к диоду. Вольт-амперная характеристика диода имеет не линейную зависимость тока от напряжения. Наиболее широкое распространение получили германиевые и кремниевые полупроводниковые приборы.

Диоды классифицируются по:

• назначению
• конструкции
• току
• напряжению
• частоте
• другим параметрам

Существуют различные виды диодов: импульсные, туннельные, выпрямительные и множество других. Выпрямительные используются для выпрямления переменного тока в постоянный. Импульсные применяются для работы в импульсных цепях, обладают низкой емкостью P-N перехода. Туннельные нашли применение в генераторах высокой частоты.

Помимо диодов существуют их разновидности: фотодиоды, светодиоды, стабилитроны.

Стабилитрон – диод Зенера, где напряжение в области электрического пробоя не зависит от тока. Применяются данные приборы для стабилизации напряжения. Светодиоды и фотодиоды имеют эффект оптического излучения в зоне видимого или инфракрасного спектра, применяются для индикации или в системах дистанционного управления.

Диодный мост

Диодный мост состоит из четырех диодов. В диагональ моста подается переменное напряжение. Он предназначен для выпрямления переменного напряжения в постоянное. На выходе моста после выпрямления появляются полупериоды выпрямленного напряжения. Они имеют форму обрезанных синусоид.

На вход подается переменное напряжение положительной полу волны. В этот момент открывается диод VD1, ток через нагрузку протекает в определенном направлении и выходит через диод VD4 в линию сети. При поступлении отрицательной полу волны открывается VD2 и ток через нагрузку протекает в том же направлении как и в первом случае. Уходит в линию через VD3.

Из этого следует, что ток в нагрузке всегда течет в одном направлении. А напряжение на выходе имеет форму, изображенную на графике ниже (U выхода (t)).

Транзистор

Транзистор – полупроводниковый прибор имеющий два и более P-N перехода. Имеет три вывода, предназначен для работы усиления сигналов (аналоговые схемы), ключевых режимах (цифровые схемы), генерирования и преобразования сигналов. Существуют биполярные и полевые транзисторы.

Обозначение выводов биполярных транзисторов:

• База (B)
• Коллектор
• Эмиттер (E)

Обозначение выводов полевых транзисторов:

• Затвор (G)
• Сток (D)
• Исток (S)

Биполярные транзисторы имеют разные структуры проводимости P-N-P и N-P-N.

Данный вид полупроводниковых приборов имеют различные схемы включения в электронных цепях:

• с общей базой (ОБ)
• с общим эмиттером (ОЭ)
• с общим коллектором (ОК)

Названия включения происходит от того электрода биполярного транзистора, который является общим для входной и выходной цепи. Часто встречающаяся схема включения является схема с общим эмиттером.

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор. Его работа обусловлена током основных носителей заряда – зарядов одного знака электронов или “дырок”. Данный вид транзисторов имеет следующие преимущества перед биполярными:

• входное высокое сопротивление
• невысокая мощность управления
• низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds)
• работа при низких температурах
• могут отлично работать на высоких частотах

Данный вид транзисторов делится на транзисторы с управляющим P-N переходом и с изолирующим затвором.

Транзисторы с изолирующим затвором существуют двух видов:

• со встроенным каналом (канал создается в процессе изготовления)
• индуцированным каналом который создается под действием напряжения приложенного к электродам транзистора.

Данный вид транзисторов нашел широкое применение в электронной технике (блоки питания майнеров, сварочные аппараты, LED-подсветка, различные виды памяти и т.д.).

Транзистор с индуцированным каналом

Транзистор с индуцированным каналом имеет следующее строение:

• подложка – пластина слабо легированное кремния. В подложке создаются сильно легированные области с полупроводником.
• сток (D)
• истоком(S)
• затвор (G)

Тиристоры (симисторы) имеют следующие выводы:

• анод
• катод
• управляющий электрод

В настоящее время тиристоры используются преимущественно в силовой электронике, как мощные управляемые коммутаторы силовых электрических цепей.

Тиристоры имеют допустимые значения токов и напряжений, время включения и выключения.

Оптоэлектронные приборы

Уроки электроники посвящены изучению различных элементов полупроводников. Можно заметить, что многие из них могут зависеть от внешних явлений окружающей среды, например – света. Этот раздел изучает оптоэлектроника, т.е. взаимодействие электромагнитных волн с электронами, а также метод создания оптоэлектронных приборов.

Основными элементами оптоэлектроники являются:

• лазеры
• ИК-диоды
• УФ-диоды
• фотодиоды
• фототранзисторы
• оптоволоконные системы

Светодиоды

Светодиоды – диоды содержащие P-N переход. Где при прохождении электрического тока, генерируется оптическое излучение, сопровождающее рекомбинацией носителей. Цвет свечения зависит от примеси полупроводника.

Фоторезисторы – изменяют сопротивление под действием излучения.

Фотодиод – обладает свойством односторонней проводимости, возникшей при воздействии на него оптического излучения. Он используется для преобразования оптического сигнала в электрический.

Фототранзистор – обычно биполярный, управление током коллектора осуществляется на основе фотоэффекта и служит для преобразования световых сигналов в электрические.

Оптрон – прибор состоящий из излучателя света и фотоприемника, взаимодействующих друг с другом, помещенных в одном корпусе.С помощью оптрона осуществляется гальваническая развязка, разделения цепей. Широкое применение нашли в автоматике, блоках питания, в частотных преобразователях и многих других электронных устройствах.

Выводы

• Уроки электроники способствуют пониманию работы элементной базы, что позволяет с уверенностью ремонтировать электронные устройства.
• Принцип действия и алгоритмы диагностики транзисторов и других полупроводниковых приборов изучаем на занятиях по радиотехнике и схемотехнике.
• Читать схемы и разрабатывать электронику возможно, только с уверенным понимаем конструкции полупроводников.