Drain source breakdown voltage перевод

maximum drain-source-voltage

максимально допустимое напряжение сток-исток
—
Обозначение
U_СИmax
U_DSmax
Примечание
Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
[ГОСТ 19095-73]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum drain-source-voltage

DE

• maximal zulässige Drain-Source-Spannung

FR

• tension maximale drain-source

Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии . academic.ru . 2015 .

• maximum gate-gate voltage
• maximum drain-substrate voltage

Смотреть что такое «maximum drain-source-voltage» в других словарях:

• Voltage doubler — A voltage doubler is an electronic circuit which charges capacitors from the input voltage and switches these charges in such a way that, in the ideal case, exactly twice the voltage is produced at the output as at its input. The simplest of… … Wikipedia
• максимально допустимое напряжение сток-исток — Обозначение UСИmax UDSmax Примечание Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная… … Справочник технического переводчика
• Current mirror — A current mirror is a circuit designed to copy a current through one active device by controlling the current in another active device of a circuit, keeping the output current constant regardless of loading. The current being copied can be, and… … Wikipedia
• Electron mobility — This article is about the mobility for electrons and holes in metals and semiconductors. For the general concept, see Electrical mobility. In solid state physics, the electron mobility characterizes how quickly an electron can move through a… … Wikipedia
• Transconductance — Transconductance, also known as mutual conductance[citation needed], is a property of certain electronic components. Conductance is the reciprocal of resistance; transconductance, meanwhile, is the ratio of the current change at the output port… … Wikipedia
• Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor. ), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
• Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
• MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
• Impedance matching — In electronics, impedance matching is the practice of designing the input impedance of an electrical load (or the output impedance of its corresponding signal source) to maximize the power transfer and/or minimize reflections from the load.… … Wikipedia
• Photoelectric effect — The photoelectric effect is a quantum electronic phenomenon in which electrons are emitted from matter after the absorption of energy from electromagnetic radiation such as x rays or visible light.cite book | title = Physics for Scientists… … Wikipedia
• Zombie Master — is a multiplayer Half Life 2 modification centered around a zombie apocalypse. Zombie Master incorporates Real time Strategy elements for one zombie master player while the other players continue to use a First person Shooter style of play. The… … Wikipedia

Параметры полевых транзисторов: что написано в даташите

Силовые инверторы, да и многие другие электронные устройства, редко обходятся сегодня без применения мощных MOSFET (полевых) или IGBT-транзисторов. Это касается как высокочастотных преобразователей типа сварочных инверторов, частотно-регулируемых электроприводов, блоков питания, светодиодных драйверов, так и разнообразных проектов-самоделок, схем коих полным полно в интернете.

Параметры выпускаемых ныне силовых полупроводников позволяют коммутировать токи в десятки и сотни ампер при напряжении до 1000 вольт.

Выбор этих компонентов на современном рынке электроники довольно широк, и подобрать полевой транзистор с требуемыми параметрами отнюдь не является проблемой сегодня, поскольку каждый уважающий себя производитель сопровождает конкретную модель полевого транзистора технической документацией, которую всегда можно найти как на официальном сайте производителя, так и у официальных дилеров.

Прежде чем приступить к проектированию того или иного устройства, с применением названных силовых компонентов, всегда нужно точно знать, с чем имеешь дело, особенно когда выбираешь конкретный полевой транзистор. Для этого и обращаются к datasheet’ам.

Datasheet представляет собой официальный документ от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д.

Давайте же посмотрим, что за параметры указывает производитель в даташите, что они обозначают и для чего нужны.

Рассмотрим на примере даташита на полевой транзистор IRFP460LC. Это довольно популярный силовой транзистор, изготовленный по технологии HEXFET.

HEXFET подразумевает такую структуру кристалла, когда в одном кристалле организованы тысячи параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек гексагональной формы. Это решение позволило значительно снизить сопротивление открытого канала Rds(on) и сделало возможным коммутацию больших токов. Однако, перейдем к обзору параметров, указанных непосредственно в даташите на IRFP460LC от International Rectifier (IR).

В самом начале документа дано схематичное изображение транзистора, приведены обозначения его электродов: G-gate (затвор), D-drain (сток), S-source (исток), а также указаны его главные параметры и перечислены отличительные качества.

В данном случае мы видим, что этот полевой N-канальный транзистор рассчитан на максимальное напряжение 500 В, сопротивление его открытого канала составляет 0,27 Ом, а предельный ток равен 20 А.

Пониженный заряд затвора позволяет использовать данный компонент в высокочастотных схемах при невысоких затратах энергии на управление переключением.

Ниже приведена таблица (рис. 1) предельно допустимых значений различных параметров в различных режимах.

• Id @ Tc = 25°C; Continuous Drain Current Vgs @ 10V — максимальный продолжительный, непрерывный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 25°C, составляет 20 А. При напряжении затвор-исток 10 В.
• Id @ Tc = 100°C; Continuous Drain Current Vgs @ 10V — максимальный продолжительный, непрерывный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 100°C, составляет 12 А. При напряжении затвор-исток 10 В.
• Idm @ Tc = 25°C; Pulsed Drain Current — максимальный импульсный, кратковременный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 25°C, составляет 80 А. При условии соблюдения приемлемой температуры перехода. На рисунке 11 (Fig 11) дается пояснение относительно соответствующих соотношений.
• Pd @ Tc = 25°C Power Dissipation — максимальная рассеиваемая корпусом транзистора мощность, при температуре корпуса в 25°C, составляет 280 Вт.
• Linear Derating Factor — с повышением температуры корпуса на каждый 1°C, рассеиваемая мощность возрастает еще на 2,2 Вт.
• Vgs Gate-to-Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток не должно быть выше +30 В или ниже -30 В.
• Eas Single Pulse Avalanche Energy — максимальная энергия единичного импульса на стоке составляет 960 мДж. Пояснение дается на рисунке 12 (Fig 12).
• Iar Avalanche Current — максимальный прерываемый ток составляет 20 А.
• Ear Repetitive Avalanche Energy — максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке не должна превышать 28 мДж (для каждого импульса).
• dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt — предельная скорость нарастания напряжения на стоке равна 3,5 В/нс.
• Tj, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range – безопасный температурный диапазон от -55°C до +150°C.
• Soldering Temperature, for 10 seconds — допустимая при пайке максимальная температура составляет 300°C, причем на расстоянии минимум 1,6мм от корпуса.
• Mounting torque, 6-32 or M3 screw — максимальный момент при креплении корпуса не должен превышать 1,1 Нм.

Далее следует таблица температурных сопротивлений (рис 2.). Эти параметры будут необходимы при подборе подходящего радиатора.

• Rjc Junction-to-Case (кристалл-корпус) 0.45 °C/Вт.
• Rcs Case-to-Sink, Flat, Greased Surface (корпус-радиатор) 0.24 °C/Вт.
• Rja Junction-to-Ambient (кристалл-окружающая среда) зависит от радиатора и внешних условий.

Следующая таблица содержит все необходимые электрические характеристики полевого транзистора при температуре кристалла 25°C (см. рис. 3).

• V(br)dss Drain-to-Source Breakdown Voltage — напряжение сток-исток, при котором наступает пробой равно 500 В.
• V(br)dss/Tj Breakdown Voltage Temp.Coefficient — температурный коэффициент, напряжения пробоя, в данном случае 0,59 В/°C.
• Rds(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — сопротивление сток-исток открытого канала при температуре 25°C, в данном случае, составляет 0,27 Ом. Оно зависит от температуры, но об этом позже.
• Vgs(th) Gate Threshold Voltage — пороговое напряжение включения транзистора. Если напряжение затвор-исток будет меньше (в данном случае 2 — 4 В), то транзистор будет оставаться закрытым.
• gfs Forward Transconductance — Крутизна передаточной характеристики, равна отношению изменения тока стока к изменению напряжения на затворе. В данном случае измерена при напряжении сток-исток 50 В и при токе стока 20 А. Измеряется в Ампер/Вольт или Сименсах.
• Idss Drain-to-Source Leakage Current — ток утечки стока, он зависит от напряжения сток-исток и от температуры. Измеряется микроамперами.
• Igss Gate-to-Source Forward Leakage и Gate-to-Source Reverse Leakage — ток утечки затвора. Измеряется наноамперами.
• Qg Total Gate Charge — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• Qgs Gate-to-Source Charge — заряд емкости затвор-исток.
• Qgd Gate-to-Drain («Miller») Charge — соответствующий заряд затвор-сток (емкости Миллера)

В данном случае эти параметры измерены при напряжении сток-исток, равном 400 В и при токе стока 20 А. На рисунке 6 дано пояснение относительно связи величины напряжения затвор-исток и полного заряда затвора Qg Total Gate Charge, а на рисунках 13 a и b приведены схема и график этих измерений.

• td(on) Turn-On Delay Time — время открытия транзистора.
• tr Rise Time — время нарастания импульса открытия (передний фронт).
• td(off) Turn-Off Delay Time — время закрытия транзистора.
• tf Fall Time — время спада импульса (закрытие транзистора, задний фронт).

В данном случае измерения проводились при напряжении питания 250 В, при токе стока 20 А, при сопротивлении в цепи затвора 4,3 Ом, и сопротивлении в цепи стока 20 Ом. Схема и графики приведены на рисунках 10 a и b.

• Ld Internal Drain Inductance — индуктивность стока.
• Ls Internal Source Inductance — индуктивность истока.

Данные параметры зависит от исполнения корпуса транзистора. Они важны при проектировании драйвера, поскольку напрямую связаны с временными параметрами ключа, особенно это актуально при разработке высокочастотных схем.

• Ciss Input Capacitance — входная емкость, образованная условными паразитными конденсаторами затвор-исток и затвор-сток.
• Coss Output Capacitance — выходная емкость, образованная условными паразитными конденсаторами затвор-исток и исток-сток.
• Crss Reverse Transfer Capacitance — емкость затвор-сток (емкость Миллера).

Данные измерения проводились на частоте 1 МГц, при напряжении сток-исток 25 В. На рисунке 5 показана зависимость данных параметров от напряжения сток-исток.

Следующая таблица (см. рис. 4) описывает характеристики интегрированного внутреннего диода полевого транзистора, условно находящегося между истоком и стоком.

• Is Continuous Source Current (Body Diode) — максимальный непрерывный длительный ток диода.
• Ism Pulsed Source Current (Body Diode) — максимально допустимый импульсный ток через диод.
• Vsd Diode Forward Voltage — прямое падение напряжения на диоде при 25°C и токе стока 20 А, когда на затворе 0 В.
• trr Reverse Recovery Time — время обратного восстановления диода.
• Qrr Reverse Recovery Charge — заряд восстановления диода.
• ton Forward Turn-On Time — время открытия диода обусловлено главным образом индуктивностями стока и истока.

Дальше в даташите приводятся графики зависимости приведенных параметров от температуры, тока, напряжения и между собой (рис 5).

Приведены пределы тока стока, в зависимости от напряжения сток-исток и напряжения затвор-исток при длительности импульса 20 мкс. Первый рисунок — для температуры 25°C, второй — для 150°C. Очевидно влияние температуры на управляемость открытием канала.

На рисунке 6 графически представлена передаточная характеристика данного полевого транзистора. Очевидно, чем ближе напряжение затвор-исток к 10 В, тем лучше открывается транзистор. Влияние температуры также просматривается здесь довольно отчетливо.

На рисунке 7 приведена зависимость сопротивления открытого канала при токе стока в 20 А от температуры. Очевидно, с ростом температуры увеличивается и сопротивление канала.

На рисунке 8 показана зависимость величин паразитных емкостей от приложенного напряжения сток-исток. Можно видеть, что уже после перехода напряжением сток-исток порога в 20 В, емкости меняются не значительно.

На рисунке 9 приведена зависимость прямого падения напряжения на внутреннем диоде от величины тока стока и от температуры. На рисунке 8 показана область безопасной работы транзистора в зависимости от длительности времени открытого состояния, величины тока стока и напряжения сток-исток.

На рисунке 11 показана зависимость максимального тока стока от температуры корпуса.

На рисунках а и b представлены схема измерений и график, показывающий временную диаграмму открытия транзистора в процессе нарастания напряжения на затворе и в процессе разряда емкости затвора до нуля.

На рисунке 12 изображены графики зависимости средней термической реакции транзистора (кристалл-корпус) на длительность импульса, в зависимости от коэффициента заполнения.

На рисунках a и b показаны схема измерений и график разрушительного действия на транзистор импульса при размыкании индуктивности.

На рисунке 14 показана зависимость максимально допустимой энергии импульса от величины прерываемого тока и температуры.

На рисунках а и b показаны график и схема измерений заряда затвора.

На рисунке 16 показана схема измерений параметров и график типичных переходных процессов во внутреннем диоде транзистора.

На последнем рисунке изображен корпус транзистора IRFP460LC, его размеры, расстояние между выводами, их нумерация: 1-затвор, 2-сток, 3-исток.

Так, прочитав даташит, каждый разработчик сможет подобрать подходящий силовой или не очень, полевой или IGBT-транзистор для проектируемого либо ремонтируемого силового преобразователя, будь то сварочный инвертор, частотник или любой другой силовой импульсный преобразователь.

Зная параметры полевого транзистора, можно грамотно разработать драйвер, настроить контроллер, провести тепловые расчеты, и подобрать подходящий радиатор без необходимости ставить лишнее.

Телеграмм канал для тех, кто каждый день хочет узнавать новое и интересное: Школа для электрика

Если Вам понравилась эта статья, поделитесь ссылкой на неё в социальных сетях. Это сильно поможет развитию нашего сайта!

Не пропустите обновления, подпишитесь на наши соцсети:

J111, Транзистор JFET N-CH 20мА [TO-92-3]

Описание Транзистор полевой J111 от производителя ONSEMI представляет собой надежный N-JFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока в 0,02 А и напряжением сток-исток до 35 В, этот транзистор способен обеспечивать стабильную работу в широком диапазоне применений. Мощность устройства составляет 0,35 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 30 Ом, что гарантирует его эффективную работу в различных электронных схемах. Корпус TO92 обеспечивает легкость установки и долговечность использования. Приобретая J111, вы получаете надежный компонент для ваших электронных проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-JFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	0.02
Напряжение сток-исток, В	35
Мощность, Вт	0.35
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	30
Корпус	TO92

Технические параметры

Channel Type	N
Configuration	Single
Drain-Gate Voltage (Max)	-35(V)
Gate-Source Voltage (Max)	-35(V)
Mounting	Through Hole
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-92
Packaging	Bag
Pin Count	3
Rad Hardened	No
Вес, г	0.3

gate-to-source voltage

напряжение отсечки полевого транзистора
напряжение отсечки
Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
U_ЗИ.отс
U_GS(off)
[ ГОСТ 19095-73]

Тематики

Синонимы

EN

DE

FR

1. пороговое напряжение полевого транзистора

пороговое напряжение полевого транзистора
пороговое напряжение
Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Обозначение
U_ЗИ.пор
U_GST
[ ГОСТ 19095-73]

Тематики

Синонимы

EN

DE

FR

n ELECTRON Gate-Source-Ausschaltspannung f
n ELECTRON Gate-Source-Gleichspannung f
n ELECTRON Gate-Source-Schwellenspannung f

1. обратное напряжение затвор-исток

Тематики

EN

• reverse gate-source (d. c.) voltage

DE

FR

См. также в других словарях:

• Voltage multiplier — Villard cascade voltage multiplier. A voltage multiplier is an electrical circuit that converts AC electrical power from a lower voltage to a higher DC voltage, typically by means of a network of capacitors and diodes. Voltage multipliers can be… … Wikipedia
• Voltage doubler — A voltage doubler is an electronic circuit which charges capacitors from the input voltage and switches these charges in such a way that, in the ideal case, exactly twice the voltage is produced at the output as at its input. The simplest of… … Wikipedia
• Gate turn-off thyristor — For other uses of the word, see GTO (disambiguation). GTO thyristor symbol A gate turn off thyristor (GTO) is a special type of thyristor, a high power semiconductor device. GTOs, as opposed to normal thyristors, are fully controllable switches… … Wikipedia
• Gate oxide — The gate oxide is the third region of the MOSFET between the source and drain. It is a thin layer of pure, defect free, 5 200 nm thick thermally grown oxide. It serves as the dielectric layer so that the gate can sustain as high as 1 to 5 MV/cm… … Wikipedia
• gate — I. noun Etymology: Middle English, from Old English geat; akin to Old Norse gat opening Date: before 12th century 1. an opening in a wall or fence 2. a city or castle entrance often with defensive structures (as towers) 3. a. the frame or door… … New Collegiate Dictionary
• Common source — Figure 1: Basic N channel JFET common source circuit (neglecting biasing details). Figure 2: Basic N channel JFET common source circuit with source degeneration … Wikipedia
• Current source — Figure 1: An ideal current source, I, driving a resistor, R, and creating a voltage V A current source is an electrical or electronic device that delivers or absorbs electric current. A current source is the dual of a voltage source. The term… … Wikipedia
• Overdrive voltage — Overdrive voltage, usually abbreviated as VOV, is typically referred to in the context of MOSFET transistors. The overdrive voltage is defined as the voltage between transistor gate and source (VGS) in excess of the threshold voltage (Vt) where… … Wikipedia
• CV/Gate — (an abbreviation of Control Voltage/Gate) is an analog method of controlling synthesizers, drum machines and other similar equipment with external sequencers. The Control Voltage typically controls pitch and the Gate signal controls note on/off.… … Wikipedia
• CPU core voltage — The CPU core voltage (VCORE) is the power supply voltage supplied to the CPU (which is a digital circuit), GPU, or other device containing a processing core. The amount of power a CPU uses, and thus the amount of heat it dissipates, is the… … Wikipedia
• Threshold voltage — The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The creation of this layer is described next … Wikipedia

• Обратная связь: Техподдержка, Реклама на сайте

• �� Путешествия

Экспорт словарей на сайты, сделанные на PHP,
WordPress, MODx.

• Пометить текст и поделитьсяИскать в этом же словареИскать синонимы
• Искать во всех словарях
• Искать в переводах
• Искать в ИнтернетеИскать в этой же категории